導讀 日本研究人員一直在努力保持納米設備涼爽，或者至少防止其過熱。通過在微型硅結構中添加微小的二氧化硅涂層，他們能夠顯著提高散熱率。這項...
日本研究人員一直在努力保持納米設備涼爽，或者至少防止其過熱。通過在微型硅結構中添加微小的二氧化硅涂層，他們能夠顯著提高散熱率。這項工作可能會帶來更小、更便宜、可以封裝更多微電路的電子設備。
隨著消費電子產品變得越來越緊湊，同時仍然擁有更高的處理能力，管理微電路廢熱的需求已成為一個主要問題。
一些科學儀器和納米級機器需要仔細考慮如何將局部熱量從設備中分流出去，以防止損壞。
當熱量以電磁波的形式輻射出去時，就會發(fā)生一定程度的冷卻——類似于太陽光通過太空真空到達地球的方式。然而，能量傳輸速率可能太慢，無法保護敏感且密集的集成電子電路的性能。
對于要開發(fā)的下一代設備，可能需要建立新的方法來解決這個熱傳遞問題。
在最近發(fā)表在《物理評論快報》雜志上的一項研究中，東京大學工業(yè)科學研究所的研究人員展示了如何在由微小間隙隔開的兩塊??微型硅板之間使輻射傳熱率加倍。
關鍵是使用二氧化硅涂層，在表面板的熱振動(稱為聲子)和光子(構成輻射)之間建立耦合。
該研究的主要作者立川紗子 (Saeko Tachikawa) 表示：“我們能夠從理論上和實驗上證明電磁波如何在氧化層界面處被激發(fā)，從而提高傳熱速率。”
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